te 泰科

业界首款-48 V宽输入电压数字热插拔控制器XDP700-002，扩展了其XDP数字功率保护控制器系列。这款控制器具有专为电信基础设施设计的可编程安全工作区域（SOA）控制功能，以及不超过±0.7%的超低电流报告误差，能提高系统故障检测和报告的准确性。此外，该产品还采用升压模式控制技术，可在非SOA系统中更安全地开启场效应晶体管（FET）。
te 泰科　　器件可编程中断功能便于设计人员设定中断阈值上下限，从而减少与微控制器连续通信。VCNL36828P使用智能抵消技术消除串扰，智能持续性设计确保准确探测并加快响应速度。VCSEL波长峰值为940 nm，无可见“红尾”。
　　Ear 支持 LHDC 5.0 和 LDAC 编解码器，可通过蓝牙进行高分辨率的音频传输，从而产生极其纯净的音质。Ear 使用 LHDC 5.0（低延迟高清音频编解码器）可以实现 1 Mbps 24 bit/192 kHz 的音频传输速度；使用 LDAC 则可达到 990 kbps，频率高达 24 bit/96 kHz。

意法半导体背照叠装晶圆制造工艺可以让传感器取得很高的分辨率，芯片尺寸和功耗比市场上同类iToF传感器更小，让这款传感器非常适合为网络摄像头和虚拟现实应用构建3D内容，包括虚拟化身、手部建模和游戏。
　　美光 GDDR6X 历经五年多成功的大规模量产，始终保持着世界一流的性能和质量。这些相似的特性，结合成熟的技术、设计和测试经验，将有助于加速 GDDR7 的普及，并为该产品的扩产提供全面支持。美光在 GDDR6X 上引入了 PAM4 信号传输技术，相实现了比 GDDR6 提升 20% 以上的领先性能。
te 泰科SignalVu 引入示波器多通道分析功能后，通信工程师会发现，泰克是他们进行射频/无线信号分析的宝贵助手。尽管大多数领先的测试与测量竞争产品都提供多通道矢量信号分析仪 (VSA) 分析功能，但它们往往无法提供全面的跨域分析功能，缺乏简单直观的用户界面，或者成本过高。我们的 5.4 版提供先进、用户友好且经济高效的分析功能，直接解决了这些燃眉之急。SignalVu 5.4 版不仅解决了现有问题，而且竖立了信号分析工具的新标杆，对市场产生了重大影响。
因此，在要求高可靠性的设备中，为了提高谐波区域的噪声消除效果，通过将多个电容器并联连接来降低阻抗。然而，这需要提供能并联连接多个电容器的空间，这困扰着电子设备实现进一步的小型化。
　　第三代650V快速碳化硅MOSFET凭借坚固、热性能强的TOLL封装，为关键、高可靠性、高效率的应用带来功率密度
　　纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）今日宣布为其的第三代快速碳化硅（G3F）MOSFETs产品组合新增一款坚固耐用的热性能增强型高速表贴TOLL封装产品，能为大功率、可靠性要求高的应用带来高效、稳定的功率转换。

高分辨率 Σ-Δ ADC 与四个数字滤波通道一起，可通过测量电压、电流和温度等关键参数来准确测量电池的充电状态和健康状态。” “该器件具有两个具有自动增益控制功能的可编程增益放大器，无需软件干预即可完全自主控制模拟前端。使用基于分流器的电池电流传感比传统霍尔传感器具有更高的精度
te 泰科　　如今，随着新一代Galaxy Z系列产品的惊艳亮相，三星再次展现了其在移动科技创新领域的领先地位。Galaxy Z系列不仅继承了三星在折叠屏技术上的深厚积累，更将实用性与灵活性完美结合，与AI技术深度融合，开创了一系列前所未有的移动体验，为Galaxy AI的发展翻开了崭新的一页。
　　GL7004采用10bit ADC设计，通过12对Sub-LVDS接口进行数据传输，单线行频可达250kHz，可满足绝大部分高速工业检测应用。
　　推出的ITV2718尺寸为2.7 x 1.8mm，提供5安培、三端子保险丝。 这种创新设计可利用嵌入式保险丝和加热器元件组合快速做出反应，在过充或过热情况发生之前中断电池组的充电或放电电路。