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　　全新的第八代BiCS FLASH2Tb QLC的位密度比铠侠目前所采用的第五代BiCS FLASH的QLC产品提高了约2.3倍，写入能效比提高了约70%。不仅如此，全新的QLC产品架构可在单个存储器封装中堆叠16个芯片，为业界提供领先的4TB容量，并采用更为紧凑的封装设计，尺寸仅为11.5 x 13.5 mm，高度为1.5 mm。
jst官网　　MULTI-BEAM HD 连接器是一款支持下一代应用的连接器。它采用更紧凑的设计，每个电源端子的电流高达 135A，同时具有高密度电源和信号特性，可节省空间。这种可扩展的模块化设计还支持更灵活的配置和 PCB 布局。
　　QiLai系统芯片内建高效能四核心RISC-V AX45MP的集群和一颗NX27V向量处理器。超纯量多核心处理器AndesCore AX45MP搭载2MB二级高速缓存以及处理一二级缓存一致性的管理机制（coherence manger），以及用于Linux应用的内存管理单元（MMU）。

适用于汽车功率管理应用的600 V CoolMOS? S7TA超级结MOSFET。S7TA专为满足汽车电子部件的特殊要求而设计，其集成温度传感器在工业应用同类产品（CoolMOS? S7T）取得的进步基础上，显著提高了结温传感的精度，因此具有诸如更高的耐用性、安全性和效率等对于汽车领域至关重要的优势。
英飞凌提供业界广泛的物联网解决方案组合之一。我们的蓝牙解决方案具有强大的连接能力和功能。AIROC CYW89829汽车低功耗蓝牙MCU和AIROC CYW20829多功能低功耗蓝牙MCU具有超低功耗和高度集成的特性，可为汽车、工业和消费市场的各种应用提供更好的用户体验。
　　Power Integrations发布了一份新的设计范例报告(DER-952Q)，重点展示了额定耐压1700V的InnoSwitch3-AQ IC所实现的高集成度。这款结构紧凑、外形小巧的电源可在85°C环境温度下，在300VDC至900VDC输入范围内提供86W的全功率输出。这是一款无散热片设计，其效率超过92%，并且仅使用62个元件。13.5V输出配置可使该设计取代车辆的12V辅助电池。
通过结合DDR5 的速度与效率，以及先进的Conformal Coating表面涂层技术，这款产品能协助客户突破算力的界限，确保在严峻的沉浸式液冷环境中维持长期耐用度，不仅体现了SMART对创新的承诺，也展现出我们积极努力满足高性能运算不断变化的需求。」
　　四通道VNF9Q20F是意法半导体采用先进的单晶片VIPower M0-9 MOSFET工艺并集成STi2Fuse技术的新系列功率开关的首款产品，STi2Fuse产品基于I2t(current squared through time-to-fuse)技术，检测到过流，支持100?s 内做出快速响应并关断MOSFET功率开关管。

　　对此，通过利用基于村田特有的陶瓷及电极材料微粒化和均匀化的薄层成型技术以及高精度叠层技术，村田开发出尺寸为0.4mm×0.2mm的超小型低损耗片状多层陶瓷电容器，能保证在150℃的温度下工作、额定电压为100V。与村田之前的产品（0603M尺寸）相比，成功地实现了小型化，将贴装面积缩减了约35%，体积缩小了约55%。由此为无线通信模块的小型化做出了贡献。此外，产品小型化还有助于减少材料和生产过程中的能源消耗。
jst官网　　Particle 公司宣布推出一款八核 Raspberry-Pi 形单板计算机，该计算机基于高通骁龙 Kryo CPU 构建，具有 12Top/s 的神经处理能力，并配备 5G 和 Wi-Fi 6E 通信。
此次发布的全新G32A1465完全遵循IATF16949质量标准要求，广泛适用于BMU、BCM、充电桩、智能座舱、座椅控制器、HAVC暖通空调系统、T-BOX、车灯等汽车细分应用场景。
　　具体而言，SemiQ推出的GP3D050B170X(裸片)和GP3D050B170B(TO-247-2L封装)分立二极管，在正向电流方面分别达到了110A和151A。其设计支持简单的并联配置，为电源应用提供了更高的灵活性和可扩展性。
　　同时，GHXS050B170S-D3和GHXS100B170S-D3双二极管模块，采用SOT-227封装，每个组件的正向电流分别为110A和214A，能够满足更高功率输出的需求。