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　　STGAP2SICSA 是一款符合汽车AEC-Q100 标准的单通道栅极驱动器，优化控制SiC MOSFET，其采用了节省空间的窄体 SO-8封装 (相关型号：STGAP2SICSAN)和宽体 SO-8W 封装(相关型号：STGAP2SICSA)，通过PWM控制提供强大的性能。
delphi德尔福　　Pasternack 1.0 mm 无源同轴组件均是现货库存且品类齐全，并且这些器件采用坚固的机械设计，确保了的信号相互作用，同时提供低插入损耗和优异的回波损耗特性。
　　ABB流程自动化运营与质量副总裁Alberto Martin-Consuegra表示：“我们很高兴看到莱迪思推出新的Certus-NX器件，为需要高可靠性的工业应用提供更多的低功耗、小尺寸和迁移选项。”

　　在新推出的四款产品中，SRK1004A 和 SRK1004B的栅极驱动电压为5.5V，可与逻辑电平 MOSFET 或 GaN 晶体管配合使用。栅极驱动电压9V的 SRK1004C 和SRK1004D 适用采用标准栅极驱动信号的MOSFET。
　　STCC4是目前市面上用于直接测量二氧化碳浓度的史上传感器之一，旨在可以无缝集成到紧凑型电子设备中，为当前被尺寸和成
delphi德尔福　　CMS M系列的一个显著特点是其模块化设计，使其易于适应各种应用并易于维护。这些迷你真空发生器提供两种吸气容量选择（300 Nl/min和550 Nl/min），可选配真空和排气控制功能，还提供两种排气配置，以匹配各种特定需求。
　　英飞凌F-RAM存储器具有固有的抗辐射性能，该技术非常适合满足太空应用不断发展的任务要求，而这些应用历来使用的是速度较慢、不太坚固的EEPROM非易失性存储器。与同类产品相比，英飞凌产品的特点包括：更快的存储器随机存取速度；通过采用即时非易失性写入技术提高数据安全性；低功耗、极低的编程电压（低至2V）以及20 mA工作电流。
LTE Cat.1 bis模组MC610-GL搭载展锐8910平台，覆盖全球主流LTE频段，下行峰值速率达10.3Mbps，上行速率达5.1Mbps，满足全球终端对4G速率连接的需求；同时支持LTE和GSM双模通信，便于用户灵活切换网络。在尺寸封装上，MC610-GL采用24.2mm*26.2mm的LCC+LGA封装方式，Pin脚兼容广和通Cat.1模组MC665/MC615系列及Cat.M模组MA510系列，便于客户终端快速迭代。

此外，三菱电机拥有覆盖宽容量逆变器的全面功率模块阵容，有助于延长EV和PHEV的续航里程和降低电力成本，从而为汽车电动化的进一步普及做出贡献。
delphi德尔福　　随着非道路车辆和商用车辆制造商越来越多地转向双电压电气架构，对48伏DC/DC转换器的需求日益增长。伊顿转换器采用自然对流风冷设计，易于集成，可在高达85摄氏度的环境温度下工作。此外，转换器采用高效率设计，可在宽泛的工作范围内降低功率损耗。
　　针对硅阳极锂离子电池的特点，希荻微推出了HL7603，一款专为硅阳极锂离子电池设计的DC-DC芯片，大幅提高电池的电量输出和提高电池续航能力。HL7603的诞生，极大的推动硅阳极电池在移动设备上的普及应用，满足AI手机对电池管理的高效需求。
推出新型80 V对称双通道n沟道功率MOSFET—SiZF4800LDT，将高边和低边TrenchFET Gen IV MOSFET组合在3.3 mm x 3.3 mm PowerPAIR 3x3FS单体封装中。Vishay Siliconix SiZF4800LDT适用于工业和通信应用功率转换，在提高功率密度和能效的同时，增强热性能，减少元器件数量并简化设计。