hrs广濑连接器官网

　　SRK1004的检测输入能够承受高达190V 的电压，可以连接高低边功率开关管。共有四款产品供用户选择，仅器件选型就可以让用户优化应用设计，通过选择5.5V或 9V的栅极驱动电压，可以在设计选用理想的逻辑电平 MOSFET、标准 MOSFET 或 GaN 晶体管，避免复杂的计算过程。 SRK1004 适用于非互补性有源钳位、谐振和准谐振 (QR) 反激式拓扑，引入了能够简化开关操作并节省电能的新一代关断算法。
hrs广濑连接器官网　　高效的AB类设计采用50欧姆输入和输出匹配端口，内置控制和保护电路，以及用于直流偏置、命令控制和监控功能的D-sub连接器。
　　MicroSpace高压连接器专为抵御极端恶劣的使用环境和条件而研发，具有可靠性且经久耐用。该系列连接器具有高达4N的抗震法向力和超过75N的锁紧力，可以在具有高水平抗震要求的应用场景中发挥出色性能，确保在极具挑战性的使用环境中实现不间断连接。

　以 9.4mΩ 导通电阻的 UHB100SC12E1BC3N 为代表的这四款 SiC 模块均采用 Qorvo 独特的共源共栅配置，限度地降低了导通电阻和开关损耗，从而能够极大地提升效率，这一优势在软开关应用中尤为显著。另外，银烧结芯片贴装将热阻降至 0.23°C/W；与带“SC”的产品型号中的叠层芯片结构相结合，其功率循环性能比市场同类 SiC 电源模块高出 2 倍。得益于以上特性，这些高度集成的 SiC 电源模块不仅易于使用，而且具有卓越的热性能、高功率密度和高可靠性。
　CoolGaN? Drive产品系列包含多款带有集成驱动器的单开关和半桥产品，它们是基于近发布的CoolGaN?晶体管650 V G5。根据产品组的不同，该系列元件具有自举二极管、无损耗电流测量、可调接通/关断dV/dt等特点，而且还提供OCP/OTP/SCP保护功能。
hrs广濑连接器官网　　该产品将 TDK 独特的设计知识用于设计内部结构，高频性能等同或优于传统产品。比如，电感器的内部结构设计能够降低因设备安装点中的裂纹导致断路故障的几率。结合汽车电路板制造指引，TDK MHQ1005075HA 电感器大幅提升了在汽车环境中的可靠性。TDK将进一步扩大产品线，满足不断变化的客户需求。
　　为实现高S参数，新产品采用了TDK专有的设计结构以及优化材料，以减少电容引起的信号失真的影响，并有效抑制共模噪声。不仅如此，TDK 的创新高精度自动绕线技术确保了品质稳定和高可靠性。
　　相较于分立式设计，IHB架构可减少50%的元件数量和30%的PCB空间。新IC还能使逆变器进入睡眠模式，将驱动器功耗降至10mW以下。这意味着在规定的待机功耗限值下，可以为实现网络接入和监控等功能的电路负载提供更多宝贵的功率。

若有芯片公司对此一芯片的进入量产有兴趣，Andes 晶心科技亦可考虑以特殊商务授权模式，让芯片公司有机会取得授权，将QiLai芯片带进量产。
hrs广濑连接器官网　　QiLai系统芯片内建高效能四核心RISC-V AX45MP的集群和一颗NX27V向量处理器。超纯量多核心处理器AndesCore AX45MP搭载2MB二级高速缓存以及处理一二级缓存一致性的管理机制（coherence manger），以及用于Linux应用的内存管理单元（MMU）。
　　G3F GeneSiC MOSFETs 基于纳微专有的“沟槽辅助平面栅”技术研发，既拥有优于沟槽栅MOSFET的性能，还具备比竞争对手更强的鲁棒性、可制造性和成本效益。G3F MOSFETs 同时具备高效和高速的性能，可使器件的外壳温度降低高达25°C，比市场上其他厂商的碳化硅产品的寿命长3倍。
　　HAL/HAR 3936 提供作为单芯片设备的 SOIC8 SMD 封装和用于双芯片版本的 SSOP16 SMD 封装，为要求苛刻的 3D 位置传感应用场景提供了可靠且多功能的解决方案。