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  东芝刚刚发布了一款采用 1.9 x 1.9mm WCSP 封装的 700MHz 至 5GHz 单刀双掷天线开关。
  东芝射频开关 TCWA1225G
  该公司表示:“TCWA1225G 的输入峰值功率为 46dBm,PAR 为 8dB。这是通过采用东芝原创的 CMOS 工艺并优化内部开关电路实现的。”
安普官网  随着工业设备的高功能化,配备的电子元件数量也在不断增加,因此,传感器封装需要实现小型化。此外,由于工业设备的自动化程度不断提高,获取动态姿态角和自身位置的需求也在不断增加。
基于强大性能,Reno12 系列可支持荣耀 120 帧高清画质下的持久流畅,并支持逆水寒手游 ProXDR 光影显示,为手游带来 HDR 的全新视觉体验。
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  TimeProvider 4500主时钟支持超大容量的精密时间协议 (PTP)任务。创新的硬件平台可为数千个客户端提供更高的IEEE-1588可扩展性。在需要平衡范围和容量的网络位置,即在C波段5G部署中,能够通过单个主时钟为数千个gNodeB提供服务至关重要。根据具体地点的不同,主时钟可以为极少数或大量的gNodeB基站提供服务。无论规模大小,运营商都能实现经济高效的灵活部署。
新款 CV75AX 和 CV72AX 芯片进一步提升了 AI 性能、效率和增加了应用功能,我们已获得安全设计,而且这些头部车队远程信息服务供应商正在对我们的下一代方案进行评估,更好地实现 Transformer 感知、VLM 模型分析和驾驶行为评分模型。
安普官网NVMe NANDrive EX系列具有卓越的数据保持能力和7.5万、15万或40万擦写次数(P/E)的超高耐久性(可达17,800 TBW(TeraBytes Written))。该产品系列目前有20 GB、40 GB、80 GB和160 GB多种容量供客户选择。为了支持长寿命应用的客户,NVMe NANDrive EX 系列固态硬盘也包含在绿芯长期支持 (LTA) 方案中 (https://bit.ly/SSD-LTA-program)。
此外,SNMP以太网基本模块允许实时远程监控,具有电子邮件功能,以提醒用户和监控控制台重要的系统事件。MPPS优于同类产品,具有卓越的输出功率、效率、可靠性、灵活性、尺寸和重量。
  Vishay丰富的MOSFET技术全面支持功率转换过程,涵盖需要高压输入到低压输出的各种先进高科技设备。随着SiHR080N60E的推出,以及其他第四代600 V E系列器件的发布,Vishay可在电源系统架构设计初期满足提高能效和功率密度两方面的要求—包括功率因数校正(PFC)和后面的DC/DC转换器砖式电源。
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  CoolGaNBDS高压产品分为650 V 和 850 V两个型号,采用真正的常闭单片双向开关,具有四种工作模式。该系列半导体器件基于栅极注入晶体管(GIT)技术,拥有两个带有衬底终端和独立隔离控制的分立栅极。
安普官网  半导体检测以及数字化转型应用需要快速处理大量的数据与影像,以确保高效率的营运和的分析。这些应用对于数据处理速度、可靠性和精度有着极高的要求,进而支持实时决策和优化流程。
  “沟槽辅助平面栅”技术能使碳化硅MOSFETs的RDS(ON)受温度影响小,在整个运行范围内的功率损失降到。在高温的运行环境下中,搭载这一技术的碳化硅MOSFETs,与竞争对手相比,RDS(ON)降低高达20%。
  凭借先进的图形处理能力,英特尔车载独立显卡可支持高保真视觉效果和复杂的 3D 人机界面(HMI),为用户带来流畅、身临其境的 3A游戏大作,反应灵敏、支持情境感知的AI助手,与沉浸式的 3D 人机界面。对于当今消费者渴望获得无缝衔接、增强交互式体验、引人入胜的车载娱乐系统的市场来说,这些都是至关重要的进步。

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