广濑

　　半导体业内人士表示，“如果对高通的依赖性增加，三星在与高通的零部件价格谈判中就会处于不利地位，联发科是对抗高通的一张宝贵”。
广濑　　纳微GeneSiC碳化硅产品基于专有的“沟槽辅助平面栅”技术打造，可在运行温度范围内能提供了全球的效率性能，G3F MOSFETs具备高速、运行温升低的性能，相比市场上其他厂商的碳化硅产品，可使器件的外壳温度降低高达25°C并且寿命长3倍。
STeID JC Open OS平台兼容 Java Card 3.0.5 卡应用开发框架和 Global Platform 2.3.1 安全及卡管理架构。该开放平台操作系统提供运行符合国际民航组织 ICAO 9303 标准的机读旅行证件(eMRTD)等重要应用程序所需的全部功能，还支持电子驾照标准 ISO 18013 和eIDAS QSCD合格数字签名生成设备技术标准。它将支持Match-on-Card技术，以实现安全的离线生物特征验证。

　　连接器额定电流0.5A，额定电压50V，触点间距1mm，组合高度4.5mm。适用于-40℃~+125℃的严苛环境，满足工业设备的应用需求。产品插头与插座采用防呆结构，可防止误插。公母座两端设有铁耳装置，有效增加了连接器在PCB板的焊接强度，同时分散应力，确保振动冲击环境下连接器的保持力。 连接器还设有定位柱结构，可使连接器在PCB板上的定位安装更准确。
CCP550系列共有六种不同的单输出，包括12V、15V、18V 、24V、36V和48VDC。所有系列都包括一个12V、0.5A的风扇输出，并提供一个5V/2A的备用输出和远程开/关功能作为选项。
　　MPPS电源非常符合军用标准，包括 MIL-STD-1399-300B、461F和810G。这种先进的设备为海军舰艇上常见的不平衡三相负载挑战提供了解决方案。MPPS符合MIL-STD-1399-300B标准，将船舶的相电流平衡保持在±5%以内，潜艇的相电流平衡保持在±3%以内，同时提供严格调节的直流电源。
　　SK海力士发布了新一代图形存储器GDDR7。SK海力士相关人士表示：“全球AI客户对GDDR表现出极大兴趣，GDDR是一种兼具高性能和高速度的专用于图形处理的D-RAM。为此，我们于3月份完成了目前性能的存储器GDDR7的开发，并计划于第三季度开始量产。”
FCS945R则是移远通信推出的另一款高性能双频Wi-Fi 4和蓝牙5.2模组，其在IEEE 802.11n模式下工作，数据速率可达150 Mbps。FCS945R还采用经典LCC封装和12.0 mm × 12.0 mm × 2.15 mm的超紧凑封装设计，在尺寸和成本方面进行了双重优化，完美满足尺寸敏感型应用的要求，并支持-20°C ~+70°C消费级工作温度。

通过采用意法半导体的新无线充电解决方案，开发者可以把无线充电的便利性和充电速度带到对输出功率和充电速度有更高要求的应用领域，包括无线吸尘器、无线电动工具、无人机等移动机器人、医疗药物输送设备、便携式超声系统、舞台灯光和移动照明、打印机和扫描仪。因为不再需要电缆、连接器和复杂的对接配置，这些产品的设计变得更简单，价格更便宜，工作更可靠。
广濑　　依托SmartClarity-XL工艺平台打造，SC130HS具备Stacked BSI架构，并在SFCPixel、PixGain HDR等思特威先进成像技术的加持下，以高感度、高动态范围、低噪声等性能表现，可满足日常光线、夜景等各类光线场景下的影像拍摄需求。
　　CoolGaN? BDS 40 V是一款基于英飞凌肖特基栅极氮化镓自主技术的常闭单片双向开关。它能阻断两个方向的电压，并且通过单栅极共源极的设计进行了优化，以取代电池供电消费产品中用作断开开关的背对背 MOSFET。首款40 V CoolGaN? BDS产品的 RDS(on) 值为 6 mΩ，后续还将推出一系列产品。
　　HT32F53231/HT32F53241/HT32F53242/HT32F53252操作电压为2.5V~5.5V，操作温度范围提升至-40℃~105℃工业温度范围，指令周期可达60MHz，Flash容量为128KB，SRAM容量达16KB，搭载6通道PDMA，支持独立VDDIO管脚，可连接与MCU VDD电压不同的组件。